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元件参数资料
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参数目录38655
> IRF7807VD1 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
型号:
IRF7807VD1
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF7807VD1 PDF
标准包装
95
系列
FETKY™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
25 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
管件
其它名称
*IRF7807VD1
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